科技体验 快乐成长 第15届济南市青少年科技节开幕

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(b)不同的Mo释放量下，体验反应体系中Mo蒸汽浓度空间分布情况的模拟结果。成长(h)随SnO2用量的增加Mo蒸汽在反应体系里有效扩散距离的变化趋势。

而氢气的加入使得整个生长过程变快而更加依赖于反应体系的瞬时动力学条件，届济南节开这就使得对于MoSe2的有效控制十分困难。本文发现，市青少年对Mo释放量的适当降低可以使得空间中Mo蒸汽的分布更加均匀，更有利于均匀、纯净的MoS2薄膜的生长。所制得MoS2单层薄膜的(e)拉曼光谱,(f)原子力显微镜图片，科技快乐科技(g)荧光光谱以及(f)HAADF-STEM图片。

体验反应残余物的(e)XRD谱和(f)拉曼光谱。另外氢气会将SnO2还原为易挥发的SnO，成长因此我们选用了更为稳定的Al2O3作为抑制层。

届济南节开【总结与展望】本文报道了一种氧化物抑制层辅助的二维MoX2(X=S,Se,Te)单层的CVD生长方法。

通过对衬底上不同位置的样品进行观察与分析，市青少年我们可以得到与MoS2生长相似的结论，市青少年较高的Mo:Se比更有利于单层MoSe2的面内生长，而较低的Mo：Se则会促进多层MoSe2的生成。这些材料具有出色的集光和EnT特性，科技快乐科技这是通过掺杂低能红色发射铂的受体实现的。

体验2012年当选发展中国家科学院院士。1997年首批入选百、成长千、万人才工程第一、二层次。

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